Samsung Berencana Memproduksi Base Die HBM 2nm di Texas, dengan AMD Disebut Memimpin Pesanan

Pabrik kedua di Taylor menyasar sirkuit di bawah memori AI

Samsung Electronics berencana memproduksi komponen canggih untuk memori kecerdasan buatan di pabrik chip keduanya di Taylor, Texas, dengan produksi massal dijadwalkan pada 2030. Fasilitas yang diusulkan itu akan menggunakan proses manufaktur 2 nanometer, menempati area sekitar 2,7 juta kaki persegi, dan memasok base die yang berada di bawah tumpukan high bandwidth memory (HBM).

Menurut sejumlah sumber industri, pelanggan telah memesan seluruh kapasitas produksi yang direncanakan di pabrik tersebut, dengan AMD mengambil sebagian besar volumenya. Nvidia juga disebut sebagai calon pelanggan. Samsung menolak berkomentar mengenai laporan pabrik itu, dan pemesanan tersebut belum dikonfirmasi secara independen. Rincian pembagian pesanan di antara pelanggan, nilai kontrak, serta kapasitas produksi dalam satuan wafer belum diungkapkan.

Proyek ini akan memberi Samsung jalur lain untuk memasuki bisnis manufaktur sirkuit logika di dalam memori AI yang tengah berkembang. Divisi memori Samsung membuat chip penyimpan informasi, sedangkan divisi foundry memproduksi chip yang berisi sirkuit pemrosesan dan kontrol. Desain HBM yang semakin kompleks membuat kedua bisnis tersebut kian terhubung.

Persyaratan Nvidia juga membuat peluang itu lebih rumit. Perancang prosesor AI tersebut dilaporkan meminta Samsung, SK hynix, dan Micron menggunakan proses manufaktur pesaing, TSMC, untuk base die pada memori NVHBM yang dirancang khusus. Karena itu, Samsung menghadapi dua jalur komersial berbeda: membuat memori dengan komponen TSMC untuk Nvidia, serta menggunakan pabriknya sendiri untuk pelanggan seperti AMD.

Rencana di Texas membuat kedua jalur itu semakin terlihat. Samsung dapat tetap menjadi pemasok memori utama meski base die dibuat perusahaan lain, sekaligus mengupayakan pendapatan manufaktur yang lebih besar dari pelanggan yang memilih proses produksinya sendiri.

Apa yang akan diproduksi pabrik di Texas

HBM menggabungkan beberapa chip memori dalam tumpukan vertikal di samping prosesor bertenaga tinggi. Susunan ini memungkinkan sejumlah besar informasi berpindah dalam jarak pendek, sehingga prosesor AI dapat menerima data yang dibutuhkan untuk melakukan perhitungan. Bandwidth mengacu pada jumlah data yang dapat dipindahkan dalam jangka waktu tertentu, bukan banyaknya informasi yang dapat disimpan memori.

Die adalah bagian silikon individual yang berisi sirkuit elektronik. Dalam tumpukan HBM, die inti memori menyimpan data. Base die di bawahnya menyediakan koneksi dan fungsi logika yang membantu tumpukan tersebut berkomunikasi dengan prosesor.

Samsung berencana menggabungkan base die yang diproduksi di Taylor dengan DRAM buatan Korea Selatan. DRAM adalah memori kerja yang menyimpan informasi sementara saat sistem komputasi beroperasi. Dengan demikian, rantai produksi yang diusulkan akan menghubungkan manufaktur logika di Amerika dengan produksi memori di Korea.

Menurut sumber industri, produk HBM4 Samsung yang telah memasuki produksi massal dan sampel HBM4E saat ini menggunakan base die yang dibuat dengan proses 4 nanometer. Taylor Fab 2 akan beralih ke 2 nanometer, dengan kemungkinan menggunakan proses yang lebih canggih seiring kebutuhan produk masa depan. Nama proses ini menunjukkan generasi teknologi manufaktur yang digunakan untuk menempatkan sirkuit semakin kompleks ke dalam chip berukuran kecil.

Tahapan pembangunan berlangsung hingga 2030

Taylor Fab 2 direncanakan memiliki luas sekitar 250.000 meter persegi, atau sekitar 1,5 kali luas pabrik Taylor pertama. Persiapan lahan dan perataan tanah dilaporkan sedang berlangsung, sementara konstruksi utama dijadwalkan dimulai pada awal November 2026.

Jadwal tersebut membedakan dimulainya pekerjaan pembangunan dari pemasangan peralatan manufaktur dan produksi chip yang siap dijual. Pabrik chip memerlukan pemasangan peralatan secara ekstensif serta persiapan proses setelah bangunannya berdiri.

• Maret 2026: Dewan kota Taylor menyetujui dukungan rekayasa untuk perizinan terkait pabrik kedua.
• Awal November 2026: Konstruksi utama Taylor Fab 2 dijadwalkan dimulai.
• 2027: Pabrik Taylor pertama diperkirakan mulai berproduksi massal.
• Februari 2029: Pemasangan peralatan di pabrik kedua diperkirakan dimulai.
• 2030: Taylor Fab 2 dijadwalkan mulai berproduksi massal.

Jadwal tersebut menempatkan pabrik kedua beberapa tahun setelah upaya memenuhi kebutuhan mendesak akan memori AI. Tujuan komersialnya adalah mengamankan posisi dalam generasi produk berikutnya, ketika base die diperkirakan akan memuat sirkuit yang lebih kompleks.

Mengapa AMD penting bagi ekspansi yang diusulkan

AMD disebut menyumbang sebagian besar pesanan yang dilaporkan di Taylor Fab 2. Menurut sejumlah sumber industri, kebutuhan AMD saja dapat membebani kapasitas pabrik yang direncanakan, sehingga perusahaan itu menjadi pusat dari rencana ekspansi Samsung.

Samsung berniat mempertahankan model manufaktur terintegrasinya untuk HBM khusus yang dipasok kepada AMD dan pelanggan lain. Dengan model tersebut, bisnis Samsung sendiri akan memproduksi die inti memori dan base die, alih-alih membeli base die dari foundry lain.

Bagi Samsung, pendekatan itu berpotensi mendatangkan pendapatan bagi divisi memori maupun foundry. Bagi AMD, pemesanan kapasitas manufaktur akan memberinya tempat dalam jadwal produksi seiring berkembangnya bisnis chip AI perusahaan tersebut. Desain memori spesifik yang tercakup dalam pesanan Taylor yang dilaporkan belum dijelaskan.

Hubungan ini berjalan berdampingan dengan upaya yang lebih luas untuk meningkatkan cara prosesor mengakses data. Samsung memaparkan kolaborasi dengan AMD dalam pemanfaatan memori bersama dalam presentasi infrastruktur AI pada Oktober 2026, bersama HBM khusus dan teknologi memori lainnya. Rencana Taylor menyangkut bagian lain dari upaya tersebut: memproduksi silikon di bawah tumpukan HBM masa depan.

Mengapa Nvidia meminta pemasok menggunakan TSMC

Persyaratan manufaktur Nvidia yang dilaporkan akan melibatkan TSMC dalam tahap produksi HBM yang secara tradisional ditangani sendiri oleh Samsung. Sejumlah sumber industri tertanggal 18 Oktober 2026 menyebut Nvidia meminta Samsung, SK hynix, dan Micron menggunakan proses 3 nanometer TSMC untuk base die NVHBM, serta teknologi manufaktur DRAM generasi keenam untuk die inti memori.

Nvidia ingin memori dari para pemasoknya bekerja dengan lebih konsisten. Penggunaan proses manufaktur yang sama untuk base die dapat mengurangi perbedaan ant produk dan memangkas pekerjaan rekayasa yang diperlukan untuk menyetujui penggunaan memori dari masing-masing produsen dengan prosesor Nvidia.

Samsung dilaporkan menerima persyaratan tersebut setelah melakukan tinjauan internal. Langkah ini memperluas kerja sama sebelumnya dengan TSMC, yang berfokus pada kompatibilitas memori Samsung dengan teknologi pengemasan chip TSMC, hingga mencakup produksi komponen HBM yang penting.

Persyaratan base die Nvidia yang diuraikan pada Oktober menjelaskan mengapa ambisi Samsung di Texas dan penggunaan TSMC dapat berjalan bersamaan. Samsung dapat memasok memori kepada Nvidia yang menggunakan base die TSMC, sembari mengupayakan pesanan manufaktur sendiri dari pelanggan lain.

NVHBM menempatkan lebih banyak sirkuit kontrol di dalam memori

NVHBM mengubah pembagian tugas antara prosesor utama dan memori di sampingnya. Desainnya memindahkan pengontrol memori, yakni sirkuit yang mengatur lalu lintas data, dari unit pemrosesan grafis ke base die HBM.

Nvidia mendapat ruang pada prosesor utama untuk menambahkan lebih banyak sirkuit komputasi. Base die pun memegang peran lebih besar, sehingga teknologi manufakturnya menjadi semakin penting bagi sistem secara keseluruhan. Kebutuhan untuk memasukkan logika tambahan ke ruang terbatas menjadi salah satu alasan penggunaan proses canggih.

Hasil produksi juga memengaruhi biaya dan pasokan. Hasil produksi adalah persentase chip pada wafer silikon yang memenuhi standar yang disyaratkan. Estimasi industri menempatkan hasil produksi proses 3 nanometer TSMC di atas 90%, dibandingkan dengan sekitar 60% untuk proses 2 nanometer Samsung. Estimasi tersebut mengacu pada proses yang berbeda, tetapi membantu menjelaskan daya tarik komersial proses yang dapat menghasilkan proporsi chip layak pakai yang tinggi.

Samsung juga sedang mengevaluasi produksi base die NVHBM menggunakan teknologi manufakturnya sendiri, yang berpotensi menjadi alternatif jika permintaan melampaui kapasitas TSMC. Preferensi Nvidia yang dilaporkan terhadap TSMC berarti peluang Nvidia di Taylor masih bergantung pada keputusan sumber pasokan di masa mendatang. HBM konvensional dan NVHBM dapat diproduksi bersamaan selama Nvidia terus menjual beberapa generasi prosesor.

Permintaan memori tumbuh lebih cepat daripada pasokan

UBS memperkirakan permintaan HBM mencapai sekitar 61,5 miliar gigabit pada 2027, naik 91% dari tahun sebelumnya. Perkiraan pengiriman sekitar 54,6 miliar gigabit akan menyisakan kekurangan 6,9 miliar gigabit, atau sekitar 11% dari permintaan yang diproyeksikan.

Angka tersebut mengukur jumlah memori, bukan jumlah tumpukan HBM yang telah selesai diproduksi. Perbandingan ini menunjukkan mengapa perusahaan prosesor mencari komitmen kapasitas jauh sebelum pabrik baru mulai berproduksi.

Dimulainya produksi Vera Rubin milik Nvidia menjadi sumber tambahan permintaan langsung untuk memori canggih. Samsung, SK hynix, dan Micron bersaing memasok HBM4 untuk platform tersebut sembari mengembangkan generasi berikutnya.

Target Taylor Fab 2 pada 2030 jatuh setelah periode kekurangan pasokan yang dipaparkan dalam perkiraan UBS. Pabrik itu akan melayani pasar pada tahap selanjutnya, yang akan dibentuk oleh pertumbuhan komputasi AI lebih lanjut dan perubahan desain memori. Karena itu, rencana Samsung merupakan investasi kapasitas sekaligus keputusan tentang bagian mana dari sistem memori masa depan yang ingin diproduksinya.

Pabrik Taylor pertama menjadi titik awal

Pabrik pertama Samsung di Taylor diperkirakan mulai berproduksi pada 2027, tiga tahun sebelum fasilitas kedua. Tesla disebut sebagai pelanggan utamanya berdasarkan perjanjian senilai 16,5 miliar dolar AS yang dilaporkan, mencakup chip AI5 dan AI6.

Investasi yang dilaporkan untuk pabrik pertama itu meningkat dari 17 miliar dolar AS menjadi 37 miliar dolar AS. Proyek ini juga mencakup dukungan senilai 4,75 miliar dolar AS berdasarkan US CHIPS Act. Kawasan Taylor secara keseluruhan mencakup 1.268 acre dan memiliki ruang untuk hingga 10 pabrik.

Kedua pabrik akan memiliki peran berbeda di kawasan tersebut. Pabrik pertama dikaitkan dengan manufaktur prosesor AI, sedangkan pabrik kedua diarahkan untuk memproduksi komponen logika bagi memori canggih. Bagi pelanggan, hal ini akan memperluas jenis silikon terkait AI yang dapat diproduksi Samsung di Amerika Serikat.

Korea Selatan tetap menjadi bagian dari rantai produksi HBM yang diusulkan karena Samsung berencana membuat DRAM di sana. Ekspansi di Texas akan membagi produksi di antara kedua negara, dengan base die buatan Amerika dipadukan dengan memori dari Korea.

Samsung berupaya memperkuat bisnis foundry

Samsung mengatakan pendapatan foundry-nya pada kuartal ketiga ditopang oleh penjualan die logika HBM dan pesanan 2 nanometer tingkat lanjut dari operator cloud besar serta pelanggan AI lainnya. Meski demikian, bisnis tersebut masih mencatat kerugian.

Perusahaan memproyeksikan pertumbuhan pesanan 2 nanometer lebih dari 130% selama 2026. Kiwoom Securities memperkirakan divisi foundry akan kembali mencatat laba pada kuartal keempat. Jika seluruh kapasitas pabrik kedua di Taylor telah dipesan, hal itu akan mendukung upaya pemulihan dengan memberi Samsung alur produksi yang lebih panjang.

Pelanggan potensial lainnya masih berada pada tahap awal. Pengamat industri menyebut Broadcom sebagai calon pembeli base die HBM dari Taylor. Samsung juga tengah mengupayakan proyek potensial chip AI 2 nanometer untuk pelanggan cloud AS melalui Faraday dari Taiwan, perusahaan perancang chip khusus. Pesanan manufaktur untuk proyek tersebut belum dikonfirmasi.

Permintaan AMD yang dilaporkan memberi rencana di Texas itu fokus pelanggan yang paling jelas. Nvidia menghadirkan peluang yang lebih rumit karena persyaratan memorinya saat ini mengarahkan produksi base die ke TSMC. Tantangan Samsung adalah mengubah permintaan atas memorinya menjadi lebih banyak pekerjaan bagi pabrik sendiri, sembari memenuhi desain dan persyaratan produksi yang dipilih setiap pelanggan.

Poin Utama

• Pabrik kedua Samsung di Taylor direncanakan memproduksi base die HBM dengan proses 2 nanometer, dengan produksi massal dijadwalkan pada 2030.
• Menurut sejumlah sumber industri, seluruh kapasitas yang direncanakan telah dipesan, sebagian besar oleh AMD. Samsung belum mengonfirmasi laporan tersebut.
• Konstruksi utama dijadwalkan dimulai pada awal November 2026, disusul pemasangan peralatan mulai Februari 2029.
• Samsung berencana memadukan base die dari Texas dengan DRAM yang diproduksi di Korea Selatan.
• Nvidia dilaporkan meminta tiga pemasok HBM utamanya menggunakan proses 3 nanometer TSMC untuk base die NVHBM.
• UBS memproyeksikan permintaan HBM sebesar 61,5 miliar gigabit pada 2027, sementara pengiriman diperkirakan mencapai 54,6 miliar gigabit.
• Ekspansi ini akan mendukung upaya Samsung meraih lebih banyak bisnis manufaktur canggih, sementara divisi foundry-nya berupaya mencapai profitabilitas.