CXMT Menargetkan Peluncuran Memori Server 4F2 pada 2026, Saat Samsung Bidik Produksi pada 2028

Sel memori yang lebih kecil dan tenggat ambisius

ChangXin Memory Technologies (CXMT), produsen chip memori terbesar di China, berencana memperkenalkan memori server DDR5 registered dengan arsitektur DRAM 4F2 pada akhir 2026. Presiden Cao Kanyu memaparkan rencana tersebut pada 10 Oktober di Konferensi Sirkuit Terpadu dan Chiplet ke-4 di Shanghai, sekaligus menetapkan produk dan tenggat spesifik bagi upaya perusahaan bersaing dengan Samsung Electronics, SK hynix, dan Micron.

Arsitektur yang diusulkan ini mengurangi area yang ditempati tiap sel memori, dari desain 6F2 yang umum digunakan menjadi 4F2. Pada ukuran fitur minimum yang sama, secara teoretis area sel berkurang sepertiga. Perubahan ini dapat memungkinkan lebih banyak memori dimuat dalam satu chip, meski peningkatan pada produk akhir bergantung pada sirkuit, hasil manufaktur, dan persyaratan desain lainnya.

Tenggat CXMT sekitar dua tahun lebih awal dari target produksi massal Samsung yang dilaporkan untuk 2028. Namun, hal itu belum membuktikan adanya keunggulan manufaktur selama dua tahun. Memperkenalkan produk dan memproduksinya secara andal dalam jumlah besar merupakan dua pencapaian berbeda. CXMT belum mengungkap spesifikasi terperinci, tanggal peluncuran pasti, ataupun tingkat hasil produksi untuk memori server yang direncanakan.

Pengumuman ini penting karena menyasar server perusahaan, bukan perangkat konsumen yang selama ini menjadi pasar bagi pemasok DRAM China. Pelanggan server membutuhkan operasi yang andal dalam jangka panjang, sehingga penerimaan komersial menjadi ujian tersendiri, terpisah dari demonstrasi sel yang lebih kecil.

Pengumuman Cao di Shanghai

Cao Kanyu, yang namanya juga ditulis Chao Kanyu dalam laporan berbahasa Inggris, mengatakan memori server akan menjadi aplikasi produk pertama untuk arsitektur baru CXMT. Ia menjelaskan target peluncuran tersebut dalam konferensi di Shanghai:

Kami akan meluncurkan memori server RDIMM DDR5 generasi berikutnya yang mengadopsi struktur DRAM 4F2 sebelum akhir tahun.

RDIMM adalah singkatan dari registered dual inline memory module. Modul ini menggunakan register untuk menampung sinyal perintah dan alamat, sehingga server dapat mendukung konfigurasi memori yang lebih berat. DDR5 menunjukkan generasi memori, sedangkan 4F2 menjelaskan tata letak sel dasarnya. Jadi, pengumuman tersebut menyangkut cara baru membuat chip di dalam kategori memori server yang sudah dikenal, bukan pengganti standar DDR5.

CXMT mengatakan telah mendesain ulang tahapan manufaktur utama dan mengembangkan transistor vertical surrounding gate (VSG) sendiri. Klaim tersebut mengisyaratkan pekerjaan yang lebih luas daripada sekadar mengusulkan tata letak sel baru. Namun, klaim itu belum menunjukkan berapa banyak chip layak pakai yang dihasilkan proses tersebut, seberapa cepat produksinya dapat ditingkatkan, atau apakah pelanggan server telah menyelesaikan kualifikasi.

Sejumlah laporan menggambarkan tenggat itu dengan penekanan berbeda. Ada yang menyebutnya sebagai rencana untuk memulai produksi massal sekitar akhir tahun, sedangkan pernyataan Cao yang dikutip menjanjikan peluncuran produk. Tanpa informasi mengenai volume manufaktur, komitmen peluncuran yang lebih terbatas ini menjadi dasar yang lebih kuat untuk membandingkan CXMT dengan para pesaingnya.

Perubahan 4F2 di dalam chip DRAM

DRAM menyimpan informasi dalam sel yang perlu disegarkan secara berkala agar datanya tetap tersimpan. Dalam notasi ukuran sel, F mewakili ukuran fitur minimum, yang umumnya dijelaskan sebagai lebar garis minimum. Sel 4F2 menempati area setara dengan 2F dikalikan 2F, dibandingkan enam satuan kuadrat F pada sel 6F2.

Perhitungan ini memberi gambaran tentang ambisinya. Peralihan dari enam satuan area menjadi empat memangkas luas sel sekitar 33%. Jika hanya luas sel yang diperhitungkan, ruang yang sama dapat menampung 50% lebih banyak sel, karena enam dibagi empat sama dengan 1,5. Namun, kedua angka tersebut bukan jaminan peningkatan kapasitas atau kecepatan modul akhir CXMT.

Chip nyata juga membutuhkan sirkuit periferal, koneksi, dan ruang yang ditentukan oleh batasan manufaktur. Kecepatan memori, konsumsi daya, dan keandalan tidak hanya bergantung pada jumlah sel yang dapat dimuat dalam area tertentu. CXMT belum menerbitkan pengukuran yang memungkinkan karakteristik produk tersebut dibandingkan dengan DRAM server saat ini.

Transistor VSG yang diusulkan menempatkan kanal secara vertikal, dengan gerbang mengelilinginya. Gerbang mengendalikan arus yang mengalir melalui transistor. CXMT mengatakan susunan ini membantu mengurangi kebocoran arus yang tidak diinginkan dan meningkatkan kepadatan memori, dengan potensi manfaat bagi efisiensi daya.

CXMT juga tengah mengeksplorasi hybrid bonding untuk mengoptimalkan sel memori dan logika periferal secara terpisah. Hybrid bonding menyatukan struktur semikonduktor melalui koneksi listrik yang sangat halus. Tujuannya, menurut perusahaan, adalah memberi fleksibilitas desain yang lebih besar pada susunan penyimpanan dan sirkuit pendukungnya. Namun, laporan yang ada belum memastikan apakah pendekatan tersebut akan digunakan dalam peluncuran awal DDR5 RDIMM.

Samsung dan SK hynix punya jadwal sendiri

Samsung Electronics dan SK hynix juga meneliti DRAM 4F2, tetapi keduanya belum mengumumkan komitmen pasti untuk produksi massal, menurut laporan mengenai pengumuman CXMT. SK hynix mengungkap peta jalan teknologi terkait pada 2025. Samsung dilaporkan menargetkan penyelesaian pengembangan DRAM 10a berbasis 4F2 pada 2026, melakukan pengujian kualitas pada 2027, lalu memulai produksi massal pada 2028.

Jadwal Samsung tersebut merupakan target pengembangan yang dilaporkan, bukan jaminan resmi. Meski demikian, jadwal itu menjelaskan perhatian terhadap target peluncuran CXMT pada 2026: perusahaan China tersebut berupaya memperkenalkan produk komersial sebelum jadwal produksi yang saat ini dikaitkan dengan pesaingnya yang lebih besar.

Tian Feng, peneliti di Universitas Jiao Tong Shanghai, mengatakan tiga produsen memori utama memiliki peta jalan untuk 4F2 atau teknologi DRAM 3D serupa, tetapi belum mencapai komersialisasi skala besar. Penilaiannya mendukung pandangan bahwa ini adalah persaingan yang baru berkembang, bukan pasar tempat salah satu produsen telah membuktikan keunggulan telak.

Tahapan yang dilaporkan mencakup beberapa tahun:

• 2016: CXMT menyatakan mulai meneliti 4F2 saat perusahaan didirikan.
• 2025: SK hynix mengungkap peta jalan terkait teknologi 4F2.
• Agustus 2026: CXMT menyatakan mulai memproduksi massal memori seluler LPDDR6.
• September 2026: CXMT menyatakan platform manufaktur DRAM generasi kelimanya mulai diproduksi massal.
• 10 Oktober 2026: Cao memaparkan rencana memori server di Shanghai.
• Akhir 2026: CXMT menargetkan peluncuran RDIMM DDR5 berbasis 4F2.
• 2027 dan 2028: Samsung dilaporkan berencana melakukan pengujian kualitas, lalu memulai produksi massal.

Mengapa hasil produksi dapat menentukan persaingan

Persoalan utama dalam manufaktur adalah yield, yaitu proporsi chip yang dihasilkan pada satu wafer dan memenuhi spesifikasi yang disyaratkan. Sel yang lebih kecil bisa menarik secara teori, tetapi tetap mahal untuk diproduksi jika terlalu banyak chip gagal dalam pengujian. Perubahan geometri transistor dan tahapan produksi berarti proses tersebut harus mencapai yield yang layak secara komersial.

Hal itu sangat penting di tengah kelangkaan memori. Produsen yang memperkenalkan proses baru berisiko kehilangan hasil produksi yang dapat digunakan saat mengatasi masalah manufaktur, meskipun teknologi tersebut pada akhirnya meningkatkan kepadatan atau kinerja. Karena itu, pemasok mapan punya alasan untuk mempertimbangkan waktu peralihan dengan kebutuhan atas produk yang sudah mereka pasarkan.

Kim Jin-guk, mantan direktur teknologi SK hynix, menyebut kapasitas produksi sebagai prioritas komersial saat ini:

Dengan kelangkaan memori saat ini yang diperkirakan akan berlanjut, pasar beralih ke kondisi ketika kapasitas produksi lebih penting daripada keunggulan teknologi,

Kim juga memperingatkan soal biaya penerapan proses baru:

Kerugian produksi selama penerapan teknologi baru tidak dapat dihindari dan kemungkinan akan signifikan.

Ucapannya menjelaskan mengapa pengumuman yang lebih awal belum tentu berarti posisi persaingan yang lebih kuat. Perusahaan yang mampu memproduksi memori andal dalam jumlah besar dapat melayani pelanggan dengan lebih baik daripada pesaing yang memiliki desain lebih padat tetapi masih sulit diproduksi.

Mulainya produksi platform G5 CXMT pada September, sebagaimana dilaporkan, menunjukkan kemajuan pada tonggak manufaktur lain. Namun, hal itu sendiri tidak membuktikan bahwa produk server 4F2 yang diumumkan telah mencapai kesiapan setara. Perusahaan belum mengungkap hubungan antara klaim produksi tersebut secara cukup terperinci untuk mendukung kesimpulan itu.

Pelanggan server menghadirkan ujian berbeda

Samsung, SK hynix, dan Micron telah memegang posisi terdepan di pasar DRAM server, sementara CXMT lebih banyak berfokus pada elektronik konsumen. CXMT mengatakan kontribusi bisnis servernya meningkat pada paruh pertama 2026, tetapi laporan yang ada tidak menyertakan angka pendapatan atau pangsa pasar bisnis tersebut.

Dengan demikian, memasuki pasar server berbeda dengan meraih permintaan besar di pasar tersebut. Pelanggan membutuhkan memori yang dapat bekerja secara andal dengan sistem mereka saat digunakan dalam beban kerja berkelanjutan. Kualifikasi produk, pengiriman yang konsisten, dan kinerja stabil akan sama pentingnya dengan kepadatan chip.

Pengumuman ini juga tidak membuktikan adanya terobosan dalam high bandwidth memory (HBM), yang banyak digunakan bersama prosesor komputasi canggih. RDIMM DDR5 dan HBM memiliki fungsi memori yang berbeda. Kemajuan pada produk server yang diusulkan tidak dapat dianggap sebagai bukti bahwa CXMT telah menutup kesenjangan teknologi HBM yang dilaporkan.

Perkiraan mengenai ketertinggalan China dari Korea Selatan dalam DRAM konvensional berbeda-beda. Sejumlah laporan menyebut satu hingga dua tahun, sementara yang lain menggambarkan kesenjangan dua hingga tiga tahun. Secara umum, laporan-laporan tersebut memperkirakan kesenjangan HBM setidaknya tiga tahun. Angka-angka ini merupakan penilaian industri, bukan hasil pengukuran dari pengujian produk sebanding yang dipublikasikan.

Paten dan peralatan membentuk persaingan yang lebih luas

CXMT mengatakan telah menerbitkan lebih dari 300 keluarga paten terkait 4F2 dan meneliti arsitektur tersebut sejak 2016. Keluarga paten mengelompokkan permohonan terkait yang melindungi suatu invensi melalui berbagai pengajuan atau yurisdiksi. Jumlah itu menunjukkan kumpulan kekayaan intelektual yang diklaim cukup besar, tetapi tidak sama dengan 300 kemajuan manufaktur yang telah terbukti secara terpisah.

Cao juga mengklaim kepemilikan paten terkait CXMT melampaui para pesaing domestik dan internasional. Tidak ada data paten perbandingan yang disajikan untuk memverifikasi peringkat tersebut. Uji komersial yang lebih relevan adalah apakah desain itu dapat diproduksi, apakah produknya memenuhi kebutuhan pelanggan, dan apakah pasokannya dapat ditingkatkan hingga skala besar.

Akses terhadap peralatan tetap menjadi kendala lain. Menurut laporan, CXMT tidak dapat menggunakan peralatan litografi ultraviolet ekstrem ASML, yang dikenal sebagai EUV. EUV membantu produsen membentuk fitur yang sangat kecil, dan ketiadaannya menambah ketidakpastian pada jalur CXMT untuk mencapai yield yang layak secara komersial.

Sejumlah komentar industri berpendapat EUV akan berpengaruh lebih kecil terhadap produksi DRAM 3D di masa depan. Perkiraan tersebut menyangkut arsitektur yang lebih lanjut dan tidak menghilangkan tantangan manufaktur yang dihadapi produk yang diumumkan. Transistor vertikal dalam sel 4F2 juga tidak otomatis berarti beberapa lapisan sel DRAM ditumpuk.

Perkembangan lain di China yang dilaporkan membantu menjelaskan kekhawatiran produsen Korea. Huawei mempromosikan teknologi pelipatan logika, sementara laporan menyebut Samsung membayar royalti untuk penggunaan teknologi bonding Xtacking milik YMTC. Teknologi dan perusahaan tersebut berbeda, sehingga tidak dapat memvalidasi klaim CXMT mengenai memori server.

Perjanjian lisensi paten yang diumumkan Huawei dan Qualcomm pada 5 Oktober, menurut laporan, mencakup 5G, komputasi, kecerdasan buatan, dan jaringan. Perjanjian itu menggambarkan peran kekayaan intelektual China yang lebih luas di industri ini, tetapi bukan perjanjian DRAM atau bukti kesiapan produksi 4F2.

Hal yang belum terbukti menjelang tenggat

Ekspansi keuangan CXMT memberi konteks tambahan bagi dorongan pengembangannya. Laporan menyebut penjualan sahamnya pada Juli mencapai sekitar $8,6 miliar, atau kurang lebih 66,61 miliar yuan, serta kenaikan harga saham sebesar 466% pada hari perdagangan pertama. Angka-angka tersebut menunjukkan pendanaan yang besar dan minat investor, bukan validasi teknis atas produk memori yang direncanakan.

Reaksi saham langsung dari pemasok mapan terbilang terbatas: Micron turun sekitar 1% dalam perdagangan semalam dan SK hynix melemah 0,8% dalam perdagangan lokal pada sesi yang dilaporkan. Penjualan yang lebih luas di sektor semikonduktor dan kekhawatiran mengenai belanja kecerdasan buatan juga terjadi, sehingga pergerakan tersebut tidak dapat dikaitkan hanya dengan pengumuman CXMT.

Tenggat berikutnya yang disebutkan adalah akhir 2026. Sebelum perbandingan langsung dengan pesaing dapat dilakukan, CXMT perlu mengungkap lebih dari sekadar tanggal peluncuran. Spesifikasi modul, skala produksi, kualifikasi pelanggan, dan bukti operasi yang andal akan membantu memperjelas arti komersial pengumuman tersebut.

Untuk saat ini, CXMT telah menetapkan target produk yang lebih awal daripada jadwal manufaktur Samsung yang dilaporkan dan menjelaskan pendekatan arsitektur yang konkret. Apakah langkah itu akan menjadi keunggulan di pasar memori server bergantung pada hasil produksi yang dapat digunakan dan adopsi pelanggan, bukan kalender semata.

Poin Utama

• CXMT berencana memperkenalkan memori server DDR5 registered berbasis DRAM 4F2 pada akhir 2026.
• Secara teoretis, sel 4F2 sepertiga lebih kecil daripada sel 6F2 pada ukuran fitur minimum yang sama.
• CXMT mengatakan transistor vertical surrounding gate-nya mengurangi kebocoran dan mendukung kepadatan yang lebih tinggi.
• Samsung dilaporkan menargetkan produksi massal pada 2028; SK hynix mengungkap peta jalan terkait pada 2025.
• CXMT belum mengungkap spesifikasi produk terperinci, yield produksi, ataupun tanggal peluncuran pasti.
• Peluncuran lebih awal tidak dengan sendirinya membuktikan keunggulan dalam manufaktur skala besar atau adopsi oleh pelanggan server.